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CY7C1021CV33-8VXC

CY7C1021CV33-8VXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1021CV33-8VXC
PNEDA Teilenummer CY7C1021CV33-8VXC
Beschreibung IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 3.654
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CY7C1021CV33-8VXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1021CV33-8VXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1021CV33-8VXC, CY7C1021CV33-8VXC Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 554,97 KB)
PDFCY7C1021CV33-12BAXIT Datenblatt Cover
CY7C1021CV33-12BAXIT Datenblatt Seite 2 CY7C1021CV33-12BAXIT Datenblatt Seite 3 CY7C1021CV33-12BAXIT Datenblatt Seite 4 CY7C1021CV33-12BAXIT Datenblatt Seite 5 CY7C1021CV33-12BAXIT Datenblatt Seite 6 CY7C1021CV33-12BAXIT Datenblatt Seite 7 CY7C1021CV33-12BAXIT Datenblatt Seite 8 CY7C1021CV33-12BAXIT Datenblatt Seite 9 CY7C1021CV33-12BAXIT Datenblatt Seite 10 CY7C1021CV33-12BAXIT Datenblatt Seite 11

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CY7C1021CV33-8VXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße1Mb (64K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite8ns
Zugriffszeit8ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-SOJ

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

VS-R

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

80ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-VFBGA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

115ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP I

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

36-SOJ

TC58CVG0S3HQAIE

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Hersteller

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND (SLC)

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

155µs

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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