CY7C09349AV-9AXC
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY7C09349AV-9AXC | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | CY7C09349AV-9AXC | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC SRAM 72K PARALLEL 100TQFP | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Cypress Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 156 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 9 - Feb 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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CY7C09349AV-9AXC Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C09349AV-9AXC |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C09349AV-9AXC Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Speichergröße | 72Kb (4K x 18) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 67MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 9ns |
| Spannung - Versorgung | 3V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 100-LQFP |
| Lieferantengerätepaket | 100-TQFP (14x14) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH, RAM Technologie FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.8V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 162-VFBGA Lieferantengerätepaket 162-VFBGA (10.5x8) |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 10MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 400ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 84-TFBGA Lieferantengerätepaket 84-FBGA (8x12.5) |
Hersteller Maxim Integrated Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 4Mb (128K x 32, 256K x 16, 512K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 120ns Zugriffszeit 120ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Socket Paket / Fall 72-SIMM Lieferantengerätepaket 72-SIMM |
