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CY7C0852AV-133BBC

CY7C0852AV-133BBC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C0852AV-133BBC
PNEDA Teilenummer CY7C0852AV-133BBC
Beschreibung IC SRAM 4.5M PARALLEL 172FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C0852AV-133BBC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C0852AV-133BBC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C0852AV-133BBC, CY7C0852AV-133BBC Datenblatt (Total Pages: 32, Größe: 971,59 KB)
PDFCY7C0852AV-133BBC Datenblatt Cover
CY7C0852AV-133BBC Datenblatt Seite 2 CY7C0852AV-133BBC Datenblatt Seite 3 CY7C0852AV-133BBC Datenblatt Seite 4 CY7C0852AV-133BBC Datenblatt Seite 5 CY7C0852AV-133BBC Datenblatt Seite 6 CY7C0852AV-133BBC Datenblatt Seite 7 CY7C0852AV-133BBC Datenblatt Seite 8 CY7C0852AV-133BBC Datenblatt Seite 9 CY7C0852AV-133BBC Datenblatt Seite 10 CY7C0852AV-133BBC Datenblatt Seite 11

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CY7C0852AV-133BBC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße4.5Mb (128K x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall172-LFBGA
Lieferantengerätepaket172-FBGA (15x15)

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.1ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 2.8ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

32-PLCC (13.97x11.43)

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