CY62167EV18LL-55BVI
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY62167EV18LL-55BVI | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | CY62167EV18LL-55BVI | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Cypress Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1.049 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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CY62167EV18LL-55BVI Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY62167EV18LL-55BVI |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY62167EV18LL-55BVI Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | MoBL® |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 16Mb (1M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 55ns |
| Zugriffszeit | 55ns |
| Spannung - Versorgung | 1.65V ~ 2.25V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 48-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 48-VFBGA (6x8) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 16Mb (2M x 8, 1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 48-TSOP |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 512Kb (32K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 28-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 28-PDIP |
