CTLDM303N-M832DS TR
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| Teilenummer | CTLDM303N-M832DS TR |
| PNEDA Teilenummer | CTLDM303N-M832DS-TR |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.772 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CTLDM303N-M832DS TR Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CTLDM303N-M832DS TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
CTLDM303N-M832DS TR, CTLDM303N-M832DS TR Datenblatt
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CTLDM303N-M832DS TR Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 10V |
| Leistung - max | 1.65W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | TLM832DS |
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