CSD87335Q3DT
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| Teilenummer | CSD87335Q3DT |
| PNEDA Teilenummer | CSD87335Q3DT |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 25A |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 14.808 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD87335Q3DT Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD87335Q3DT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CSD87335Q3DT Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 25A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 15V |
| Leistung - max | 6W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerLDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-LSON (3.3x3.3) |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 6V Leistung - max 650mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-TSST |
Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD® FET-Typ 4 N-Channel, Matched Pair FET-Funktion Depletion Mode Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 2.7V Vgs (th) (Max) @ Id 1.26V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 16-PDIP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket ChipFET™ |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC, 40nC @ 5V, 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500pF, 2500pF @ 10V Leistung - max 2W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
