CSD18532NQ5BT
![CSD18532NQ5BT](http://pneda.ltd/static/products/images_mk/402/CSD18532NQ5BT.webp)
Nur als Referenz
Teilenummer | CSD18532NQ5BT |
PNEDA Teilenummer | CSD18532NQ5BT |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 100A |
Hersteller | Texas Instruments |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 14.268 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
CSD18532NQ5BT Ressourcen
Marke | Texas Instruments |
ECAD Module |
![]() |
Mfr. Artikelnummer | CSD18532NQ5BT |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Payment Method
![TT](/res/v2/images/help/p-tt.gif )
![Unionpay](/res/v2/images/help/p-unionpay.gif )
![paypal](/res/v2/images/help/p-paypal.gif )
![paypalwtcreditcard](/res/v2/images/help/p-paypalwtcreditcard.gif )
![alipay](/res/v2/images/help/p-alipay.gif )
![wu](/res/v2/images/help/p-wu.gif )
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
![TNT](/res/v2/images/help/s-tnt.gif )
![UPS](/res/v2/images/help/s-ups.gif )
![Fedex](/res/v2/images/help/s-fedex.gif )
![EMS](/res/v2/images/help/s-ems.gif )
![DHL](/res/v2/images/help/s-dhl.gif )
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- CSD18532NQ5BT Datasheet
- where to find CSD18532NQ5BT
- Texas Instruments
- Texas Instruments CSD18532NQ5BT
- CSD18532NQ5BT PDF Datasheet
- CSD18532NQ5BT Stock
- CSD18532NQ5BT Pinout
- Datasheet CSD18532NQ5BT
- CSD18532NQ5BT Supplier
- Texas Instruments Distributor
- CSD18532NQ5BT Price
- CSD18532NQ5BT Distributor
CSD18532NQ5BT Technische Daten
Hersteller | |
Serie | NexFET™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5340pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.1W (Ta), 156W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-VSON-CLIP (5x6) |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.55Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2050pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 178W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.4nC @ 10V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 654pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TSOP-6-6 Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3177pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 40W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220D-A1 Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 765pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 29.5W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FP Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 20V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 160W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247-3 Paket / Fall TO-247-3 |