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CNY17F4SR2VM

CNY17F4SR2VM

Nur als Referenz

Teilenummer CNY17F4SR2VM
PNEDA Teilenummer CNY17F4SR2VM
Beschreibung OPTOISO 4.17KV TRANS 6SMD
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.238
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CNY17F4SR2VM Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCNY17F4SR2VM
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
CNY17F4SR2VM, CNY17F4SR2VM Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 402,58 KB)
PDFCNY17F4TM Datenblatt Cover
CNY17F4TM Datenblatt Seite 2 CNY17F4TM Datenblatt Seite 3 CNY17F4TM Datenblatt Seite 4 CNY17F4TM Datenblatt Seite 5 CNY17F4TM Datenblatt Seite 6 CNY17F4TM Datenblatt Seite 7 CNY17F4TM Datenblatt Seite 8 CNY17F4TM Datenblatt Seite 9 CNY17F4TM Datenblatt Seite 10 CNY17F4TM Datenblatt Seite 11

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CNY17F4SR2VM Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation4170Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)160% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)320% @ 10mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)2µs, 3µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)4µs, 3.5µs (Max)
EingabetypDC
AusgabetypTransistor
Spannung - Ausgang (max.)70V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.35V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)60mA
Vce-Sättigung (max.)400mV
Betriebstemperatur-40°C ~ 100°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket6-SMD

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Serie

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Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.36V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

500mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

6-SMD

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Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

NEPOC

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

130% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

260% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 5µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.17V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

80mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

-

4N36-V

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Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

10µs, 9µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

6N139(F)

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

500% @ 1.6mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

200ns, 1µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington with Base

Spannung - Ausgang (max.)

18V

Strom - Ausgang / Kanal

60mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.65V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

20mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-DIP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

7500Vpk

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 2µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 1.5µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

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