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CMSD4448 TR

CMSD4448 TR

Nur als Referenz

Teilenummer CMSD4448 TR
PNEDA Teilenummer CMSD4448-TR
Beschreibung DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CMSD4448 TR Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCMSD4448 TR
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
CMSD4448 TR, CMSD4448 TR Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 534,17 KB)
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CMSD4448 TR Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)75V
Current - Average Rectified (Io)250mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 100mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)4ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr25nA @ 20V
Kapazität @ Vr, F.4pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Hersteller

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

7pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

360mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.5mA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

170pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

SRA1090 C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

90V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 90V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

D251K18BB01XPSA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1800V

Current - Average Rectified (Io)

255A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30mA @ 1800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

BG-DSW27-1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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JANTX1N5816

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Hersteller

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Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

300pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AA, DO-4, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-203AA (DO-4)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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