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CGHV27030S

CGHV27030S

Nur als Referenz

Teilenummer CGHV27030S
PNEDA Teilenummer CGHV27030S
Beschreibung RF MOSFET HEMT 50V 12DFN
Hersteller Cree/Wolfspeed
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Auf Lager 7.038
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 7 - Apr 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CGHV27030S Ressourcen

Marke Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCGHV27030S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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CGHV27030S Technische Daten

HerstellerCree/Wolfspeed
SerieGaN
TransistortypHEMT
Frequenz6GHz
Gewinn20.4dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest130mA
Leistung - Leistung30W
Spannung - Nennspannung125V
Paket / Fall12-VFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket12-DFN (4x3)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

35W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-37260-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.16GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.05A

Leistung - Leistung

23W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

PTFC261402FC-V1-R250

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.69GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

PD85025TR-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

870MHz

Gewinn

17.3dB

Spannungstest

13.6V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Formed Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.8MHz ~ 512MHz

Gewinn

24.8dB

Spannungstest

65V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

35W

Spannung - Nennspannung

179V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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