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CGHV22100F

CGHV22100F

Nur als Referenz

Teilenummer CGHV22100F
PNEDA Teilenummer CGHV22100F
Beschreibung RF MOSFET HEMT 50V 440162
Hersteller Cree/Wolfspeed
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Auf Lager 5.490
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CGHV22100F Ressourcen

Marke Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCGHV22100F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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CGHV22100F Technische Daten

HerstellerCree/Wolfspeed
SerieGaN
TransistortypHEMT
Frequenz1.8GHz ~ 2.2GHz
Gewinn20dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)6A
Rauschzahl-
Stromtest500mA
Leistung - Leistung100W
Spannung - Nennspannung125V
Paket / Fall440162
Lieferantengerätepaket440162

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

PD57018-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

2.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

18W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Lieferantengerätepaket

10-PowerSO

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

6.3W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

OM-780G-4L

Lieferantengerätepaket

OM-780G-4L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz

Gewinn

16.7dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.5A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S-6

PTFA190451EV4XWSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.96GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

11W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-36265-2

Lieferantengerätepaket

H-36265-2

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