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CAT93C86ZD4I-GT3

CAT93C86ZD4I-GT3

Nur als Referenz

Teilenummer CAT93C86ZD4I-GT3
PNEDA Teilenummer CAT93C86ZD4I-GT3
Beschreibung IC EEPROM 16K SPI 3MHZ 8TDFN
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.814
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 29 - Feb 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CAT93C86ZD4I-GT3 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCAT93C86ZD4I-GT3
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CAT93C86ZD4I-GT3, CAT93C86ZD4I-GT3 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 613,36 KB)
PDFCAT93C86ZD4I-GT3 Datenblatt Cover
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CAT93C86ZD4I-GT3 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße16Kb (2K x 8, 1K x 16)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz3MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-TDFN (3x3)

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Hersteller

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

FM25V02A-GTR

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

F-RAM™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

40MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

AT28C64E-12PI

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

200µs

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

28-PDIP

IS61QDPB21M18A-333M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QUADP

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.4ns

Spannung - Versorgung

1.71V ~ 1.89V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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