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CAT24C164WI-GT3

CAT24C164WI-GT3

Nur als Referenz

Teilenummer CAT24C164WI-GT3
PNEDA Teilenummer CAT24C164WI-GT3
Beschreibung IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.200
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CAT24C164WI-GT3 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCAT24C164WI-GT3
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CAT24C164WI-GT3, CAT24C164WI-GT3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 163,05 KB)
PDFCAT24C164WI-GT3 Datenblatt Cover
CAT24C164WI-GT3 Datenblatt Seite 2 CAT24C164WI-GT3 Datenblatt Seite 3 CAT24C164WI-GT3 Datenblatt Seite 4 CAT24C164WI-GT3 Datenblatt Seite 5 CAT24C164WI-GT3 Datenblatt Seite 6 CAT24C164WI-GT3 Datenblatt Seite 7 CAT24C164WI-GT3 Datenblatt Seite 8 CAT24C164WI-GT3 Datenblatt Seite 9 CAT24C164WI-GT3 Datenblatt Seite 10 CAT24C164WI-GT3 Datenblatt Seite 11

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CAT24C164WI-GT3 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße16Kb (2K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz400kHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit900ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.2GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.26V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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