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C782LD

C782LD

Nur als Referenz

Teilenummer C782LD
PNEDA Teilenummer C782LD
Beschreibung THYRISTOR DISC 2400V 2300A TBK
Hersteller Powerex Inc.
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C782LD Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerC782LD
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
C782LD, C782LD Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 482,4 KB)
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C782LE Datenblatt Seite 2 C782LE Datenblatt Seite 3 C782LE Datenblatt Seite 4

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C782LD Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
Serie-
StrukturSingle
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR
Spannung - Aus Zustand2.4kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)2300A
Current - On State (It (RMS)) (max.)3610A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)4.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)250mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)32000A, 35000A
Current - Hold (Ih) (Max)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTO-200AF

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

400V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

250A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

555A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

8500A, 8900A

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MAGN-A-PAK

MSFC90-08

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

90A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

2000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

T3441N52TOHXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

5.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

4410A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

5030A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

350mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

82000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

350mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

TT170N12KOFHPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

223A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

350A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

5200A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

VS-VSKT136/16PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

135A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

300A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

3200A, 3360A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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