BYT54A-TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | BYT54A-TR |
| PNEDA Teilenummer | BYT54A-TR |
| Beschreibung | DIODE AVALANCHE 50V 1.25A SOD57 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.346 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BYT54A-TR Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BYT54A-TR |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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BYT54A-TR Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Avalanche |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.25A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 100ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | SOD-57, Axial |
| Lieferantengerätepaket | SOD-57 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1600V Current - Average Rectified (Io) 40A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.14V @ 40A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 1600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-2 Lieferantengerätepaket TO-247AC Modified Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Semtech Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 1.1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 875mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 25pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SQ-MELF Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket SMB (DO-214AA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 16A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 16A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 470pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 65pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
