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BYT231PIV-1000

BYT231PIV-1000

Nur als Referenz

Teilenummer BYT231PIV-1000
PNEDA Teilenummer BYT231PIV-1000
Beschreibung DIODE MODULE 1KV 30A ISOTOP
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 2.394
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BYT231PIV-1000 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBYT231PIV-1000
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
BYT231PIV-1000, BYT231PIV-1000 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 197,59 KB)
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BYT231PIV-1000 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
Diodenkonfiguration2 Independent
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.9V @ 30A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)165ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 1000V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallISOTOP
LieferantengerätepaketISOTOP®

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

400A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Three Tower

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Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

870mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Torex Semiconductor Ltd

Serie

*

Diodenkonfiguration

-

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

250mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DPAK

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