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BYM12-50-E3/97

BYM12-50-E3/97

Nur als Referenz

Teilenummer BYM12-50-E3/97
PNEDA Teilenummer BYM12-50-E3-97
Beschreibung DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 4.050
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BYM12-50-E3/97 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBYM12-50-E3/97
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
BYM12-50-E3/97, BYM12-50-E3/97 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 80,07 KB)
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BYM12-50-E3/97 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieSUPERECTIFIER®
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F.20pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-213AB, MELF (Glass)
LieferantengerätepaketDO-213AB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 25V

Kapazität @ Vr, F.

20pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-79, SOD-523

Lieferantengerätepaket

SOD-523

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

CDBQR40

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 40mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200nA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

0402 (1005 Metric)

Lieferantengerätepaket

0402/SOD-923F

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

VS-25FR120

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 78A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

12mA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AA, DO-4, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-203AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

S1J-13-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

3µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

SIDC11D60SIC3

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

4A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 4A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

150pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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