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BYM07-200-E3/83

BYM07-200-E3/83

Nur als Referenz

Teilenummer BYM07-200-E3/83
PNEDA Teilenummer BYM07-200-E3-83
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 77.490
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BYM07-200-E3/83 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBYM07-200-E3/83
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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BYM07-200-E3/83 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieSUPERECTIFIER®
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Current - Average Rectified (Io)500mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 500mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.7pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-213AA (Glass)
LieferantengerätepaketDO-213AA (GL34)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

SBRT20M60SP5-7D

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

TrenchSBR

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

570mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

180µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerDI™ 5

Lieferantengerätepaket

PowerDI™ 5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

JANS1N6761UR-1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/586

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

380mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

70pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AB, MELF (Glass)

Lieferantengerätepaket

DO-213AB (MELF, LL41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

VS-10BQ060PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

SMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N4005-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-41

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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