BUL59
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| Teilenummer | BUL59 |
| PNEDA Teilenummer | BUL59 |
| Beschreibung | TRANS NPN 400V 8A TO220 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.634 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 16 - Apr 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BUL59 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BUL59 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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BUL59 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 8A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 400V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1A, 5A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 200µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 6 @ 5A, 5V |
| Leistung - max | 90W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
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Hersteller Micro Commercial Co Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 5V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 150MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 50mA, 1V Leistung - max 400mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V Leistung - max 325mW Frequenz - Übergang 340MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-XDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN1010D-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 40mA, 400mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 5V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 120MHz Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket PCP |
