BUK9E4R9-60E,127
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| Teilenummer | BUK9E4R9-60E,127 |
| PNEDA Teilenummer | BUK9E4R9-60E-127 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.272 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 25 - Mär 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BUK9E4R9-60E Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BUK9E4R9-60E,127 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BUK9E4R9-60E Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9710pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 234W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I2PAK |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 14µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 445pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 47W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket P-TO252-3 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Infineon Technologies Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V Vgs (Max) 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 500mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SuperSOT-3 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.63Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 245W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 900mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-70FL/MCPH3 Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads |
