BUK763R9-60E/GFJ
Nur als Referenz
| Teilenummer | BUK763R9-60E/GFJ |
| PNEDA Teilenummer | BUK763R9-60E-GFJ |
| Beschreibung | MOSFET N-CH D2PAK |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.546 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 27 - Mai 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BUK763R9-60E/GFJ Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BUK763R9-60E/GFJ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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BUK763R9-60E/GFJ Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | * |
| Transistortyp | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | - |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
| Leistung - max | - |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2A, 1V Leistung - max 1.3W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket TO-126-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 135 @ 100mA, 2V Leistung - max 750mW Frequenz - Übergang 160MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
