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BU407-S

BU407-S

Nur als Referenz

Teilenummer BU407-S
PNEDA Teilenummer BU407-S
Beschreibung TRANS NPN 140V 7A
Hersteller Bourns
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Auf Lager 8.298
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BU407-S Ressourcen

Marke Bourns
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBU407-S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BU407-S, BU407-S Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 176,83 KB)
PDFBU407-S Datenblatt Cover
BU407-S Datenblatt Seite 2 BU407-S Datenblatt Seite 3 BU407-S Datenblatt Seite 4 BU407-S Datenblatt Seite 5

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BU407-S Technische Daten

HerstellerBourns Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)7A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)140V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1V @ 500mA, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce12 @ 4A, 10V
Leistung - max60W
Frequenz - Übergang6MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

550mV @ 300mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

125 @ 800mA, 1V

Leistung - max

3W

Frequenz - Übergang

110MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 400mA, 1.6A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

Leistung - max

45W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

SOT-32-3

BU807

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

150V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 50mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

60W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

2N5086TFR

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 100µA, 5V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

40MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BF722,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 30mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 20V

Leistung - max

1.2W

Frequenz - Übergang

60MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

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