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BU25H08-E3/P

BU25H08-E3/P

Nur als Referenz

Teilenummer BU25H08-E3/P
PNEDA Teilenummer BU25H08-E3-P
Beschreibung BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 17.256
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BU25H08-E3/P Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBU25H08-E3/P
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
BU25H08-E3/P, BU25H08-E3/P Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 135,94 KB)
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BU25H08-E3/P Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieisoCink+™
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)600V
Current - Average Rectified (Io)3.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.05V @ 12.5A
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 600V
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-SIP, BU
LieferantengerätepaketisoCINK+™ BU

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Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 12.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Spannung - Peak Reverse (Max)

400V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 7.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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GBPC-M

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Hersteller

Comchip Technology

Serie

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

4.2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 12.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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