Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BTS121AE3045ANTMA1

BTS121AE3045ANTMA1

Nur als Referenz

Teilenummer BTS121AE3045ANTMA1
PNEDA Teilenummer BTS121AE3045ANTMA1
Beschreibung MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.820
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 24 - Mär 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BTS121AE3045ANTMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBTS121AE3045ANTMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BTS121AE3045ANTMA1, BTS121AE3045ANTMA1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 459,26 KB)
PDFBTS121AE3045ANTMA1 Datenblatt Cover
BTS121AE3045ANTMA1 Datenblatt Seite 2 BTS121AE3045ANTMA1 Datenblatt Seite 3 BTS121AE3045ANTMA1 Datenblatt Seite 4 BTS121AE3045ANTMA1 Datenblatt Seite 5 BTS121AE3045ANTMA1 Datenblatt Seite 6 BTS121AE3045ANTMA1 Datenblatt Seite 7 BTS121AE3045ANTMA1 Datenblatt Seite 8 BTS121AE3045ANTMA1 Datenblatt Seite 9 BTS121AE3045ANTMA1 Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BTS121AE3045ANTMA1 Datasheet
  • where to find BTS121AE3045ANTMA1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies BTS121AE3045ANTMA1
  • BTS121AE3045ANTMA1 PDF Datasheet
  • BTS121AE3045ANTMA1 Stock

  • BTS121AE3045ANTMA1 Pinout
  • Datasheet BTS121AE3045ANTMA1
  • BTS121AE3045ANTMA1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • BTS121AE3045ANTMA1 Price
  • BTS121AE3045ANTMA1 Distributor

BTS121AE3045ANTMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTEMPFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)95W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

RQA0011DNS#G0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

16V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

750mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

15W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

2-HWSON (5x4)

Paket / Fall

3-DFN Exposed Pad

SI7186DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

32A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2840pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.2W (Ta), 64W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

SFT1431-TL-W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

35V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

960pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta), 15W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK/TP-FA

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SSM3K7002BF,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-59

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SQJA60EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

Kürzlich verkauft

MPXM2010GS

MPXM2010GS

NXP

SENS PRESSURE 1.45 PSI MAX MPAK

MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 64LBGA

PDB-C134

PDB-C134

Advanced Photonix

SENSOR PHOTODIODE 950NM RADIAL

4608X-102-152LF

4608X-102-152LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 1.5K OHM 8SIP

MM3Z5V1ST1G

MM3Z5V1ST1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 5.1V 300MW SOD323

BZX84C3V9

BZX84C3V9

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.9V 350MW SOT23-3

742792662

742792662

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 1 KOHM 0603 1LN

11R472C

11R472C

Murata Power Solutions

FIXED IND 4.7UH 1.3A 90 MOHM TH

FBMH1608HM600-T

FBMH1608HM600-T

Taiyo Yuden

FERRITE BEAD 60 OHM 0603 1LN

SI8901D-A01-GS

SI8901D-A01-GS

Silicon Labs

IC ADC 10BIT SAR 16SOIC

SK520BTR

SK520BTR

SMC Diode Solutions

DIODE SCHOTTKY 200V 5A SMB

TAJA225K025RNJ

TAJA225K025RNJ

CAP TANT 2.2UF 10% 25V 1206