BSS816NWH6327XTSA1
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| Teilenummer | BSS816NWH6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSS816NWH6327XTSA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 82.614 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSS816NWH6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSS816NWH6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BSS816NWH6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 1.4A, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 0.75V @ 3.7µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 2.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT323-3 |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie ThunderFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 7.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 48W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Paket / Fall PowerPAK® SO-8 |
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