BSP373L6327HTSA1
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| Teilenummer | BSP373L6327HTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSP373L6327HTSA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.554 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSP373L6327HTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSP373L6327HTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
BSP373L6327HTSA1, BSP373L6327HTSA1 Datenblatt
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BSP373L6327HTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | SIPMOS® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT223-4 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5080pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 230W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-262 Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5080pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 230W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
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