BSP149 E6327
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| Teilenummer | BSP149 E6327 |
| PNEDA Teilenummer | BSP149-E6327 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.868 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSP149 E6327 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSP149 E6327 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BSP149 E6327 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | SIPMOS® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 660mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 660mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 400µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 25V |
| FET-Funktion | Depletion Mode |
| Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT223-4 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
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