BSM75GD120DN2BOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BSM75GD120DN2BOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSM75GD120DN2BOSA1 |
| Beschreibung | IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.344 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BSM75GD120DN2BOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSM75GD120DN2BOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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BSM75GD120DN2BOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 103A |
| Leistung - max | 520W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 75A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1.5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 5.1nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ Trench Konfiguration Three Level Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 142A Leistung - max 417W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.06V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.6nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall EMIPAK-2B Lieferantengerätepaket EMIPAK-2B |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 660A Leistung - max 2660W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 33.7nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ Trench Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 221A Leistung - max 600W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.12V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 60µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall INT-A-Pak Lieferantengerätepaket INT-A-PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter with Brake Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Leistung - max 73W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 15A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 0.935nF @ 30V Eingabe Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 25PM-AA Lieferantengerätepaket 25PM-AA |
