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BSM50GD120DN2E3226BOSA1

BSM50GD120DN2E3226BOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BSM50GD120DN2E3226BOSA1
PNEDA Teilenummer BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Beschreibung IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.376
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSM50GD120DN2E3226BOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Leistung - max350W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce3.3nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

290A

Leistung - max

750W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

FF600R12IE4PNOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600A

Leistung - max

3350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FP15R06W1E3B11BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Leistung - max

81W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

830pF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FZ1800R17HE4B9HOSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single Switch

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1800A

Leistung - max

11500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 1800A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

145nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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