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BS108,126

BS108,126

Nur als Referenz

Teilenummer BS108,126
PNEDA Teilenummer BS108-126
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.490
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BS108 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBS108,126
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BS108, BS108 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 54,32 KB)
PDFBS108/01 Datenblatt Cover
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BS108 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.300mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 100mA, 2.8V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds120pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-92-3
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 370µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

89W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

AOUS66923

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaSGT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16.5A (Ta), 58A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1725pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

6.2W (Ta), 73W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

UltraSO-8™

Paket / Fall

3-PowerSMD, Flat Leads

IRF6798MTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

37A (Ta), 197A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6560pF @ 13V

FET-Funktion

Schottky Diode (Body)

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 78W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ MX

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric MX

FDMS7692

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Ta), 28A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 27W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

TN0604N3-G-P013

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

700mA (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

740mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Kürzlich verkauft

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