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BLS6G3135S-120,112

BLS6G3135S-120,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLS6G3135S-120,112
PNEDA Teilenummer BLS6G3135S-120-112
Beschreibung RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B
Hersteller Ampleon
Stückpreis
1 ---------- $3.640,4096
50 ---------- $3.469,7654
100 ---------- $3.299,1212
200 ---------- $3.128,4770
400 ---------- $2.986,2735
500 ---------- $2.844,0700
Auf Lager 5.543
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BLS6G3135S-120 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLS6G3135S-120,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLS6G3135S-120, BLS6G3135S-120 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.111,18 KB)
PDFBLS6G3135-120 Datenblatt Cover
BLS6G3135-120 Datenblatt Seite 2 BLS6G3135-120 Datenblatt Seite 3 BLS6G3135-120 Datenblatt Seite 4 BLS6G3135-120 Datenblatt Seite 5 BLS6G3135-120 Datenblatt Seite 6 BLS6G3135-120 Datenblatt Seite 7 BLS6G3135-120 Datenblatt Seite 8 BLS6G3135-120 Datenblatt Seite 9 BLS6G3135-120 Datenblatt Seite 10 BLS6G3135-120 Datenblatt Seite 11

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BLS6G3135S-120 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz3.1GHz ~ 3.5GHz
Gewinn11dB
Spannungstest32V
Nennstrom (Ampere)7.2A
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung120W
Spannung - Nennspannung60V
Paket / FallSOT-502B
LieferantengerätepaketSOT502B

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

2.7GHz ~ 3.5GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

70mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

TO-270AA

Lieferantengerätepaket

OM-270-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.03GHz ~ 1.09GHz

Gewinn

19.2dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

770W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

NI-780S-4L

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-360S

Lieferantengerätepaket

NI-360S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

800MHz

Gewinn

-

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

40mA

Rauschzahl

2dB

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

CMPAK-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

17.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

970mA

Leistung - Leistung

34W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

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AT25M01-SSHM-T

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TAJB475K016RNJ

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NVMFS5A160PLZT1G

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-60V7.7MOHMSINGLE

WSL20108L000FEA

WSL20108L000FEA

Vishay Dale

RES 0.008 OHM 1% 1/2W 2010

NOIP2SE1300A-QDI

NOIP2SE1300A-QDI

ON Semiconductor

IC IMAGE SENSOR 1.3MP 48LCC

ESD3V3D5B-TP

ESD3V3D5B-TP

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MC68HC908GP32CFB

MC68HC908GP32CFB

NXP

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFP

10MQ060NTR

10MQ060NTR

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 2.1A SMA

MBR140SFT1G

MBR140SFT1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L

P6KE150A

P6KE150A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 128V 207V DO15