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BLS2731-110,114

BLS2731-110,114

Nur als Referenz

Teilenummer BLS2731-110,114
PNEDA Teilenummer BLS2731-110-114
Beschreibung RF TRANS NPN 75V 3.1GHZ CDFM2
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 5.688
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 9 - Apr 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BLS2731-110 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLS2731-110,114
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BLS2731-110, BLS2731-110 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 182,58 KB)
PDFBLS2731-110 Datenblatt Cover
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BLS2731-110 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)75V
Frequenz - Übergang3.1GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn7dB
Leistung - max500W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 3A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)12A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-423A
LieferantengerätepaketCDFM2

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

330mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

1214-370M

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Frequenz - Übergang

1.2GHz ~ 1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.7dB ~ 9dB

Leistung - max

600W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55ST

Lieferantengerätepaket

55ST

BFP 420F E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

19.5dB

Leistung - max

160mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 4V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

BFS 380L6 E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

Gewinn

8dB ~ 12dB

Leistung - max

380mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 40mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFDFN

Lieferantengerätepaket

TSLP-6-1

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

90mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

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