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BLM8G0710S-45ABGY

BLM8G0710S-45ABGY

Nur als Referenz

Teilenummer BLM8G0710S-45ABGY
PNEDA Teilenummer BLM8G0710S-45ABGY
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122
Hersteller Ampleon
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BLM8G0710S-45ABGY Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLM8G0710S-45ABGY
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
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BLM8G0710S-45ABGY Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz957.5MHz
Gewinn35dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest30mA
Leistung - Leistung3W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1212-2
Lieferantengerätepaket16-HSOP

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

849MHz

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

500mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

23dBmW

Spannung - Nennspannung

10V

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

PW-MINI

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1452MHz ~ 1511MHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

810mA

Leistung - Leistung

540W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1258-3

Lieferantengerätepaket

SOT-1258-3

BLF6G10-45,135

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

922.5MHz ~ 957.5MHz

Gewinn

22.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

13A

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

1W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-608A

Lieferantengerätepaket

CDFM2

PTFA142401FLV4XWSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.5GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

2A

Leistung - Leistung

240W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-34288-2

CGH35015F

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

3.3GHz ~ 3.9GHz

Gewinn

12dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

15W

Spannung - Nennspannung

84V

Paket / Fall

440196

Lieferantengerätepaket

440196

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