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BLL9G1214L-600U

BLL9G1214L-600U

Nur als Referenz

Teilenummer BLL9G1214L-600U
PNEDA Teilenummer BLL9G1214L-600U
Beschreibung BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
Hersteller Ampleon
Stückpreis
1 ---------- $3.117,7041
50 ---------- $2.971,5617
100 ---------- $2.825,4193
200 ---------- $2.679,2769
400 ---------- $2.557,4916
500 ---------- $2.435,7063
Auf Lager 265
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BLL9G1214L-600U Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLL9G1214L-600U
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLL9G1214L-600U, BLL9G1214L-600U Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.225,3 KB)
PDFBLL9G1214LS-600U Datenblatt Cover
BLL9G1214LS-600U Datenblatt Seite 2 BLL9G1214LS-600U Datenblatt Seite 3 BLL9G1214LS-600U Datenblatt Seite 4 BLL9G1214LS-600U Datenblatt Seite 5 BLL9G1214LS-600U Datenblatt Seite 6 BLL9G1214LS-600U Datenblatt Seite 7 BLL9G1214LS-600U Datenblatt Seite 8 BLL9G1214LS-600U Datenblatt Seite 9 BLL9G1214LS-600U Datenblatt Seite 10 BLL9G1214LS-600U Datenblatt Seite 11

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BLL9G1214L-600U Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.2GHz ~ 1.4GHz
Gewinn19dB
Spannungstest32V
Nennstrom (Ampere)5µA
Rauschzahl-
Stromtest400mA
Leistung - Leistung600W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502A
LieferantengerätepaketSOT502A

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

11dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

80mA

Leistung - Leistung

4.5W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5

BF244A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

100MHz

Gewinn

-

Spannungstest

15V

Nennstrom (Ampere)

50mA

Rauschzahl

1.5dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BF5030WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

800MHz

Gewinn

24dB

Spannungstest

3V

Nennstrom (Ampere)

25mA

Rauschzahl

1.3dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

200MHz

Gewinn

25dB

Spannungstest

15V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

20V

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

475-102N21A-00

IXYS-RF

Hersteller

IXYS-RF

Serie

DE

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

24A

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

1800W

Spannung - Nennspannung

1000V

Paket / Fall

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

DE475

Kürzlich verkauft

MAX97220AETE+

MAX97220AETE+

Maxim Integrated

IC AMP AUD.13W STER AB 16TQFN

MBR140SFT1G

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DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L

76SB08ST

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Grayhill Inc.

SWITCH ROCKER DIP SPST 150MA 30V

MCP6002-E/SN

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Microchip Technology

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

CMS15(TE12L,Q,M)

CMS15(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 60V 3A M-FLAT

XC6SLX100-3CSG484I

XC6SLX100-3CSG484I

Xilinx

IC FPGA 338 I/O 484CSBGA

CDSOT23-T24CAN

CDSOT23-T24CAN

Bourns

TVS DIODE 24V 40V SOT23

BSS84-7-F

BSS84-7-F

Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3

FMMT618TA

FMMT618TA

Diodes Incorporated

TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3

MF-R090

MF-R090

Bourns

PTC RESET FUSE 60V 900MA RADIAL

ESD3V3D5B-TP

ESD3V3D5B-TP

Micro Commercial Co

TVS DIODE 3.3V 12V SOD523

TAJB475K016RNJ

TAJB475K016RNJ

CAP TANT 4.7UF 10% 16V 1411