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BLF8G22LS-270GV,12

BLF8G22LS-270GV,12

Nur als Referenz

Teilenummer BLF8G22LS-270GV,12
PNEDA Teilenummer BLF8G22LS-270GV-12
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C
Hersteller Ampleon
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BLF8G22LS-270GV Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF8G22LS-270GV,12
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF8G22LS-270GV, BLF8G22LS-270GV Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 1.179,66 KB)
PDFBLF8G22LS-270V Datenblatt Cover
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BLF8G22LS-270GV Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn17.3dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest2.4A
Leistung - Leistung80W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1244C
LieferantengerätepaketCDFM6

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-

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Frequenz

1.99GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2.6A

Leistung - Leistung

80W

Spannung - Nennspannung

65V

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H-37275-6/2

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

RFMD

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

2.32GHz

Gewinn

14.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780-4

Lieferantengerätepaket

NI-780-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.12GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

610mA

Leistung - Leistung

14W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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