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BLF8G20LS-140VJ

BLF8G20LS-140VJ

Nur als Referenz

Teilenummer BLF8G20LS-140VJ
PNEDA Teilenummer BLF8G20LS-140VJ
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 6.642
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BLF8G20LS-140VJ Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF8G20LS-140VJ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF8G20LS-140VJ, BLF8G20LS-140VJ Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 1.244,36 KB)
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BLF8G20LS-140VJ Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.81GHz ~ 1.88GHz
Gewinn18.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest900mA
Leistung - Leistung35W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1244B
LieferantengerätepaketCDFM6

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.88GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.8A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S-6

Lieferantengerätepaket

NI-780S-6

SD57030-01

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

4A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

M250

Lieferantengerätepaket

M250

2N5555

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

PTFA261301F V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

GOLDMOS®

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.68GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

130W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-31260-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-270-4

Lieferantengerätepaket

TO-270 WB-4

Kürzlich verkauft

KT2520Y40000ECV28TBA

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PSMN4R5-30YLC,115

PSMN4R5-30YLC,115

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MAX3224EEAP+T

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1.5KE33A

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TVS DIODE 28.2V 45.7V AXIAL

MPQ7053

MPQ7053

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TRANS 2NPN/2PNP 250V 0.5A

DEA1X3D470JN2A

DEA1X3D470JN2A

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