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BLF6G27S-45,112

BLF6G27S-45,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF6G27S-45,112
PNEDA Teilenummer BLF6G27S-45-112
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608B
Hersteller Ampleon
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Voraussichtliche Lieferung Jan 29 - Feb 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BLF6G27S-45 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF6G27S-45,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF6G27S-45, BLF6G27S-45 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 1.337,48 KB)
PDFBLF6G27-45 Datenblatt Cover
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BLF6G27S-45 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.7GHz
Gewinn18dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)20A
Rauschzahl-
Stromtest350mA
Leistung - Leistung7W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-608B
LieferantengerätepaketCDFM2

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

SOT539A

Lieferantengerätepaket

SOT539A

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

860MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

18W

Spannung - Nennspannung

120V

Paket / Fall

TO-272-4

Lieferantengerätepaket

TO-272-4

BLF189XRBU

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

108MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

2.8µA

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

1900W

Spannung - Nennspannung

135V

Paket / Fall

SOT539A

Lieferantengerätepaket

SOT539A

MWT-A973

Microwave Technology Inc.

Hersteller

Microwave Technology Inc.

Serie

-

Transistortyp

MESFET

Frequenz

500MHz ~ 18GHz

Gewinn

6.5dB

Spannungstest

3V

Nennstrom (Ampere)

120mA

Rauschzahl

1.8dB

Stromtest

30mA

Leistung - Leistung

24.5dBm

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

Nonstandard SMD

Lieferantengerätepaket

73

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.452GHz ~ 1.511GHz

Gewinn

18.8dB

Spannungstest

31V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

OM-1230-4L2S

Lieferantengerätepaket

OM-1230-4L2S

Kürzlich verkauft

4608X-101-332LF

4608X-101-332LF

Bourns

RES ARRAY 7 RES 3.3K OHM 8SIP

CY8C24123A-24SXI

CY8C24123A-24SXI

Cypress Semiconductor

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 8SOIC

ADM2587EBRWZ-REEL7

ADM2587EBRWZ-REEL7

Analog Devices

DGTL ISO RS422/RS485 20SOIC

AD8556ARZ

AD8556ARZ

Analog Devices

IC OPAMP ZERO-DRIFT 1 CIRC 8SOIC

2016L100/33DR

2016L100/33DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 33V 1.1A 2016

IR2113STRPBF

IR2113STRPBF

Infineon Technologies

IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC

MMBD7000-7-F

MMBD7000-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3

VESD05A1B-02V-G-08

VESD05A1B-02V-G-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 5V 11V SOD523

SL16010DCT

SL16010DCT

Silicon Labs

IC CLOCK AMD GRAPHICS 10TDFN

YC324-JK-0710KL

YC324-JK-0710KL

Yageo

RES ARRAY 4 RES 10K OHM 2012

25AA512T-I/SM

25AA512T-I/SM

Microchip Technology

IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8SOIJ

MCP1725-3302E/MC

MCP1725-3302E/MC

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 500MA 8DFN