BLF6G22LS-180PN,11
Nur als Referenz
| Teilenummer | BLF6G22LS-180PN,11 |
| PNEDA Teilenummer | BLF6G22LS-180PN-11 |
| Beschreibung | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B |
| Hersteller | Ampleon |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.856 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 3 - Mai 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BLF6G22LS-180PN Ressourcen
| Marke | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLF6G22LS-180PN,11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
BLF6G22LS-180PN, BLF6G22LS-180PN Datenblatt
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BLF6G22LS-180PN Technische Daten
| Hersteller | Ampleon USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS (Dual), Common Source |
| Frequenz | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| Gewinn | 17.5dB |
| Spannungstest | 32V |
| Nennstrom (Ampere) | - |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 1.6A |
| Leistung - Leistung | 50W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | SOT-502B |
| Lieferantengerätepaket | SOT502B |
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Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz - Gewinn - Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) 18A Rauschzahl - Stromtest 600mA Leistung - Leistung 9W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall SOT-502A Lieferantengerätepaket LDMOST |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp N-Channel GaAs HJ-FET Frequenz 12GHz Gewinn 14dB Spannungstest 2V Nennstrom (Ampere) 60mA Rauschzahl 0.35dB Stromtest 10mA Leistung - Leistung 165mW Spannung - Nennspannung 4V Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket S02 |
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Hersteller M/A-Com Technology Solutions Serie - Transistortyp N-Channel Frequenz 150MHz ~ 400MHz Gewinn 7.7dB ~ 16dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) 5A Rauschzahl 1.5dB Stromtest 25mA Leistung - Leistung 30W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall 211-07 Lieferantengerätepaket 211-07, Style 2 |
