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BLF6G20-180RN,112

BLF6G20-180RN,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF6G20-180RN,112
PNEDA Teilenummer BLF6G20-180RN-112
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502A
Hersteller Ampleon
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BLF6G20-180RN Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF6G20-180RN,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF6G20-180RN, BLF6G20-180RN Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.112,97 KB)
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BLF6G20-180RN Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.93GHz ~ 1.99GHz
Gewinn17.2dB
Spannungstest30V
Nennstrom (Ampere)49A
Rauschzahl-
Stromtest1.4A
Leistung - Leistung40W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502A
LieferantengerätepaketLDMOST

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

125mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-270AA

Lieferantengerätepaket

TO-270-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18.3dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

24W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.69GHz

Gewinn

16.3dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

15.5W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-400S-2S

Lieferantengerätepaket

NI-400S-2S

PTFA240451E V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

GOLDMOS®

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.48GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-30265-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.5GHz

Gewinn

14.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230-4LS2L

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4LS2L

Kürzlich verkauft

J201

J201

ON Semiconductor

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

KT2520Y40000ECV28TBA

KT2520Y40000ECV28TBA

Kyocera

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NLC565050T-101K-PF

NLC565050T-101K-PF

TDK

FIXED IND 100UH 250MA 1.6 OHM

DHRB34C102M2FB

DHRB34C102M2FB

Murata

CAP CER 1000PF 15KV RADIAL

PSMN4R5-30YLC,115

PSMN4R5-30YLC,115

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IRLML2803TRPBF

IRLML2803TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

FHAC0001ZXJ

FHAC0001ZXJ

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IM03GR

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PTN3363BSMP

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