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BLF6G15L-500H,112

BLF6G15L-500H,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF6G15L-500H,112
PNEDA Teilenummer BLF6G15L-500H-112
Beschreibung RF FET LDMOS 100V 16DB SOT539A
Hersteller Ampleon
Stückpreis
1 ---------- $4.196,9994
50 ---------- $4.000,2651
100 ---------- $3.803,5307
200 ---------- $3.606,7964
400 ---------- $3.442,8511
500 ---------- $3.278,9058
Auf Lager 132
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BLF6G15L-500H Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF6G15L-500H,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF6G15L-500H, BLF6G15L-500H Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.480,67 KB)
PDFBLF6G15LS-500H Datenblatt Cover
BLF6G15LS-500H Datenblatt Seite 2 BLF6G15LS-500H Datenblatt Seite 3 BLF6G15LS-500H Datenblatt Seite 4 BLF6G15LS-500H Datenblatt Seite 5 BLF6G15LS-500H Datenblatt Seite 6 BLF6G15LS-500H Datenblatt Seite 7 BLF6G15LS-500H Datenblatt Seite 8 BLF6G15LS-500H Datenblatt Seite 9 BLF6G15LS-500H Datenblatt Seite 10 BLF6G15LS-500H Datenblatt Seite 11

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BLF6G15L-500H Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz1.45Ghz ~ 1.49GHz
Gewinn16dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)45A
Rauschzahl-
Stromtest1.3A
Leistung - Leistung65W
Spannung - Nennspannung100V
Paket / FallSOT539A
LieferantengerätepaketSOT539A

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

BLF6G38-50,112

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

3.4GHz ~ 3.6GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

16.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

9W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

PTFA210601EV4XWSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

12W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-36265-2

Lieferantengerätepaket

H-36265-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

180mA

Leistung - Leistung

9W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

29W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

TO-272BB

Lieferantengerätepaket

TO-272 WB-4

PTFA210601F V4

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

12W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-37265-2

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