BLF4G22LS-130,112
Nur als Referenz
| Teilenummer | BLF4G22LS-130,112 |
| PNEDA Teilenummer | BLF4G22LS-130-112 |
| Beschreibung | FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.042 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 11 - Apr 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BLF4G22LS-130 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLF4G22LS-130,112 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
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BLF4G22LS-130 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS |
| Frequenz | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| Gewinn | 13.5dB |
| Spannungstest | 28V |
| Nennstrom (Ampere) | 15A |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 1.15A |
| Leistung - Leistung | 33W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | SOT-502B |
| Lieferantengerätepaket | SOT502B |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 2.11GHz ~ 2.17GHz Gewinn 13.5dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 1.2A Leistung - Leistung 28W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall NI-880S Lieferantengerätepaket NI-880S |
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Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 1.805GHz ~ 1.995GHz Gewinn 19.3dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) 1.4µA Rauschzahl - Stromtest 1.6A Leistung - Leistung 60W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall SOT1275-3 Lieferantengerätepaket SOT1275-3 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 880MHz Gewinn 19.2dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 950mA Leistung - Leistung 27W Spannung - Nennspannung 68V Paket / Fall NI-780S Lieferantengerätepaket NI-780S |
