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BLF4G20-110B,112

BLF4G20-110B,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF4G20-110B,112
PNEDA Teilenummer BLF4G20-110B-112
Beschreibung FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.784
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BLF4G20-110B Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF4G20-110B,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF4G20-110B, BLF4G20-110B Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 121,46 KB)
PDFBLF4G20S-110B Datenblatt Cover
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BLF4G20-110B Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.93GHz ~ 1.99GHz
Gewinn13.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)12A
Rauschzahl-
Stromtest700mA
Leistung - Leistung100W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502A
LieferantengerätepaketLDMOST

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

-

Gewinn

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Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

25mA

Rauschzahl

-

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-

Leistung - Leistung

-

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.3GHz ~ 2.4GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

28A

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

20W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

N-Channel GaAs HJ-FET

Frequenz

12GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

60mA

Rauschzahl

0.65dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

125mW

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

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NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

860MHz

Gewinn

18.2dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2A

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-860C3

Lieferantengerätepaket

NI-860C3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.81GHz

Gewinn

17.9dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

74W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1110A

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