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BLF2324M8LS200PJ

BLF2324M8LS200PJ

Nur als Referenz

Teilenummer BLF2324M8LS200PJ
PNEDA Teilenummer BLF2324M8LS200PJ
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B
Hersteller Ampleon
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BLF2324M8LS200PJ Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF2324M8LS200PJ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
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BLF2324M8LS200PJ Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz2.3GHz ~ 2.4GHz
Gewinn17.2dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.74A
Leistung - Leistung60W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT539B
LieferantengerätepaketSOT539B

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Serie

-

Transistortyp

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Gewinn

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Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

2.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

25mA

Leistung - Leistung

15W

Spannung - Nennspannung

65V

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M113

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M113

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Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

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Spannung - Nennspannung

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.88GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2.6A

Leistung - Leistung

80W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-36275-8

Lieferantengerätepaket

H-36275-8

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

512MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

NI-780-4

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