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BLF178XR,112

BLF178XR,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF178XR,112
PNEDA Teilenummer BLF178XR-112
Beschreibung RF FET LDMOS 110V 28DB SOT539A
Hersteller Ampleon
Stückpreis
1 ---------- $2.267,0894
50 ---------- $2.160,8196
100 ---------- $2.054,5498
200 ---------- $1.948,2800
400 ---------- $1.859,7218
500 ---------- $1.771,1636
Auf Lager 18
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BLF178XR Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF178XR,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF178XR, BLF178XR Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 1.178,14 KB)
PDFBLF178XRS Datenblatt Cover
BLF178XRS Datenblatt Seite 2 BLF178XRS Datenblatt Seite 3 BLF178XRS Datenblatt Seite 4 BLF178XRS Datenblatt Seite 5 BLF178XRS Datenblatt Seite 6 BLF178XRS Datenblatt Seite 7 BLF178XRS Datenblatt Seite 8 BLF178XRS Datenblatt Seite 9 BLF178XRS Datenblatt Seite 10 BLF178XRS Datenblatt Seite 11

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BLF178XR Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz108MHz
Gewinn28dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest40mA
Leistung - Leistung1400W
Spannung - Nennspannung110V
Paket / FallSOT539A
LieferantengerätepaketSOT539A

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

2.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

18W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.69GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.12GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

NI-880S

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

80V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Formed Lead)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2GHz

Gewinn

11dB

Spannungstest

13.6V

Nennstrom (Ampere)

5A

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

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