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BG3123RE6327HTSA1

BG3123RE6327HTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BG3123RE6327HTSA1
PNEDA Teilenummer BG3123RE6327HTSA1
Beschreibung MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Hersteller Infineon Technologies
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BG3123RE6327HTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBG3123RE6327HTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BG3123RE6327HTSA1, BG3123RE6327HTSA1 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 195,28 KB)
PDFBG3123RE6327HTSA1 Datenblatt Cover
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BG3123RE6327HTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Transistortyp2 N-Channel (Dual)
Frequenz800MHz
Gewinn25dB
Spannungstest5V
Nennstrom (Ampere)25mA, 20mA
Rauschzahl1.8dB
Stromtest14mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung8V
Paket / Fall6-VSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketPG-SOT363-6

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Gewinn

-

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Rauschzahl

4dB

Stromtest

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-

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CEL

Serie

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Frequenz

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Gewinn

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15mA

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Gewinn

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-

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Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

895MHz

Gewinn

21.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.5A

Leistung - Leistung

70W

Spannung - Nennspannung

70V

Paket / Fall

NI-880

Lieferantengerätepaket

NI-880

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.16GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.05A

Leistung - Leistung

23W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-270AB

Lieferantengerätepaket

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