BFU530XRVL
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFU530XRVL |
| PNEDA Teilenummer | BFU530XRVL |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.012 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFU530XRVL Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFU530XRVL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFU530XRVL Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 11GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1.8GHz |
| Gewinn | 16.5dB |
| Leistung - max | 450mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-143R |
| Lieferantengerätepaket | SOT-143R |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 18V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 6dB Leistung - max 270W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall M111 Lieferantengerätepaket M111 |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3.5V Frequenz - Übergang 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 2GHz Gewinn 17dB Leistung - max 120mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket SC-82FL/MCPH4 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Frequenz - Übergang 1.2GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7dB Leistung - max 88W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55KT Lieferantengerätepaket 55KT |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB @ 1GHz Gewinn 9dB Leistung - max 800mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket 6-CPH |
