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BFU530XAR

BFU530XAR

Nur als Referenz

Teilenummer BFU530XAR
PNEDA Teilenummer BFU530XAR
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.496
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU530XAR Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU530XAR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU530XAR, BFU530XAR Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 301,4 KB)
PDFBFU530XVL Datenblatt Cover
BFU530XVL Datenblatt Seite 2 BFU530XVL Datenblatt Seite 3 BFU530XVL Datenblatt Seite 4 BFU530XVL Datenblatt Seite 5 BFU530XVL Datenblatt Seite 6 BFU530XVL Datenblatt Seite 7 BFU530XVL Datenblatt Seite 8 BFU530XVL Datenblatt Seite 9 BFU530XVL Datenblatt Seite 10 BFU530XVL Datenblatt Seite 11

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BFU530XAR Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang11GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.7dB @ 900MHz
Gewinn22dB
Leistung - max450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 10mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketSOT-143B

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Gewinn

9.5dB

Leistung - max

30W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

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Gewinn

8dB

Leistung - max

11W

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NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 3.5dB @ 500MHz

Gewinn

13dB ~ 15.5dB

Leistung - max

1.25W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Micro-X ceramic (84C)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.8V

Frequenz - Übergang

55GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz

Gewinn

-

Leistung - max

197mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

205 @ 2mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

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