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BFS 386L6 E6327

BFS 386L6 E6327

Nur als Referenz

Teilenummer BFS 386L6 E6327
PNEDA Teilenummer BFS-386L6-E6327
Beschreibung RF TRANS 2 NPN 6V 14GHZ TSLP-6-1
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.974
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BFS 386L6 E6327 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFS 386L6 E6327
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFS 386L6 E6327, BFS 386L6 E6327 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 104,03 KB)
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BFS 386L6 E6327 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)6V
Frequenz - Übergang14GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Gewinn10dB ~ 14.5dB
Leistung - max210mW, 380mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 15mA, 3V / 60 @ 40mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA, 80mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-XFDFN
LieferantengerätepaketTSLP-6-1

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.03GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB ~ 9dB

Leistung - max

1944W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Betriebstemperatur

230°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55SM

Lieferantengerätepaket

55SM

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

75102

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

ZUMTS17HTC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

330mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

5.5dB @ 800MHz

Gewinn

23dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 25mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

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