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BFR93AR,215

BFR93AR,215

Nur als Referenz

Teilenummer BFR93AR,215
PNEDA Teilenummer BFR93AR-215
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 6GHZ TO236AB
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.166
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFR93AR Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFR93AR,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFR93AR, BFR93AR Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 88,37 KB)
PDFBFR93AR Datenblatt Cover
BFR93AR Datenblatt Seite 2 BFR93AR Datenblatt Seite 3 BFR93AR Datenblatt Seite 4 BFR93AR Datenblatt Seite 5 BFR93AR Datenblatt Seite 6 BFR93AR Datenblatt Seite 7 BFR93AR Datenblatt Seite 8 BFR93AR Datenblatt Seite 9 BFR93AR Datenblatt Seite 10 BFR93AR Datenblatt Seite 11

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BFR93AR Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang6GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
Gewinn-
Leistung - max300mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 30mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB (SOT23)

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

500W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

29A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz

Gewinn

13dB ~ 28dB

Leistung - max

75mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Gewinn

25dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

70W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

M135

Lieferantengerätepaket

M135

TPR175

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

1.03GHz ~ 1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB ~ 9dB

Leistung - max

290W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 20mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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