BFR 181T E6327
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| Teilenummer | BFR 181T E6327 |
| PNEDA Teilenummer | BFR-181T-E6327 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.592 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 22 - Jun 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFR 181T E6327 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFR 181T E6327 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFR 181T E6327 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Gewinn | 19.5dB |
| Leistung - max | 175mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-75, SOT-416 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SC-75 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket SC-75 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2.8V Frequenz - Übergang 70GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz Gewinn 10dB ~ 24dB Leistung - max 136mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket 4-DFP |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.8V Frequenz - Übergang 22GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz Gewinn 12.5dB ~ 26.5dB Leistung - max 230mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 20mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.5V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz Gewinn 12.5dB ~ 14dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 2mA, 2.7V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
